آغاز تولید حافظه های QLC نسل نهم سامسونگ: انقلاب کره ای ها در حوزه ذخیره سازی

سامسونگ تولید انبوه نسل نهم حافظه VNAND از نوع QLC را آغاز کرده است که با ارائه ظرفیت ذخیره سازی بیشتر و عملکرد بهتر، بهینه سازی مصرف انرژی برای بارهای کاری مرتبط با هوش مصنوعی را نیز به همراه دارد. آغاز تولید حافظه های QLC نسل نهم به صورت تولید انبوه خواهد بود و تاثیر زیادی در حوزه حافظه های ذخیره سازی ارائه خواهد کرد.

این حافظه QLC یا Quad Level Cell VNAND با ترکیب چندین فناوری پیشرفته تولید می شود. سامسونگ چند ماه پیش تولید اولین نسل نهم VNAND از نوع TLC را با افزایش 50 درصدی تراکم بیت آغاز کرد و اکنون اعلام کرده که تولید انبوه نسل نهم QLC نیز شروع شده است. این حافظه به طور خاص برای ارائه عملکرد بالا و کارایی در مصرف انرژی در کاربردهای هوش مصنوعی طراحی شده است. با استفاده از فناوری های مختلف، این نوع VNAND به بالاترین تعداد لایه ممکن دست یافته است.

QLC VNAND با بهره گیری از فناوری هایی مانند Channel Hole Etching، Designed Mold و Predictive Program ساخته شده است. این فناوری ها به تراکم بیشتر و اندازه فشرده تر کمک کرده و قابلیت اطمینان بالاتری در عملیات خواندن و نوشتن اطلاعات فراهم می کنند.

رهبری سامسونگ در حوزه ذخیره سازی

آغاز موفقیت آمیز تولید انبوه QLC نسل نهم تنها چهار ماه پس از نسخه TLC به ما این امکان را می دهد که یک خط تولید کامل از راه حل های پیشرفته SSD را برای برآورده کردن نیازهای عصر هوش مصنوعی ارائه دهیم.

SungHoi Hur، نایب رئیس اجرایی و رئیس بخش فناوری

او همچنین به هدف سامسونگ در تثبیت رهبری خود در بخش ذخیره سازی اشاره کرد. با رشد سریع بازار SSD های سازمانی و افزایش تقاضا برای سخت افزارهای پیشرفته برای اجرای برنامه های هوش مصنوعی، سامسونگ با نسل نهم QLC ابتدا محصولات مصرفی را هدف قرار داده و سپس این فناوری را به محصولات UFS، رایانه های شخصی و SSD های سروری گسترش می دهد.

فناوری Channel Hole Etching سامسونگ توانسته بالاترین تعداد لایه در صنعت را با استفاده از ساختار دوتایی به دست آورد. حافظه QLC VNAND نسبت به نسل قبلی خود 86 درصد تراکم بیشتری دارد. فناوری Designed Mold به بهبود عملکرد نگهداری داده ها به میزان تقریبی 20 درصد کمک کرده و قابلیت اطمینان محصول را افزایش داده است. همچنین، VNAND نسل نهم QLC با دو برابر شدن عملکرد نوشتن و بهبود ۶۰ درصدی سرعت ورودی و خروجی داده ها عملکرد بهتری ارائه می دهد. مصرف انرژی در عملیات خواندن و نوشتن داده ها نیز به ترتیب 30 و 50 درصد کاهش یافته که این به لطف فناوری Lowpower Design امکان پذیر شده است.

فناوری Channel Hole Etching امکان ایجاد کانال های عمودی برای انتقال داده ها در سلول های انباشته VNAND را فراهم کرده است. این فناوری به سامسونگ اجازه داده تا تعداد لایه های بیشتری نسبت به حافظه های قبلی NAND به دست آورد. همچنین، ساختار دوتایی موجب کاهش تولید گرما شده و تراکم حافظه را تا 86 درصد افزایش داده است.

Designed Mold با تنظیم فاصله خطوط Word و یکنواختی سلول ها در لایه ها، عملکرد ثابت و قابل اعتمادی برای QLC VNAND ایجاد کرده و حدود 20 درصد بهبود در نگهداری داده ها را ارائه می دهد. فناوری Predictive Program نیز نوشتن داده ها روی سلول های NAND را بهینه سازی می کند و با پیش بینی وضعیت سلول ها در حین عملیات نوشتن، از تغییرات غیرضروری جلوگیری کرده و عملکرد خواندن و نوشتن داده ها را تا 60 درصد بهبود می بخشد.

سامسونگ با ارائه حافظه های NAND با کارایی بالا و مصرف انرژی بهینه در مسیر تامین نیازهای بازار هوش مصنوعی گام برمی دارد و در عین حال محصولات خود را برای دستگاه های موبایل و رایانه ای گسترش می دهد.

مطالب مرتبط:

بدون امتیاز

کمی صبر کنید…