شروع تولید گسترده حافظه‌های نسل آینده HBM4، GDDR7 و DDR5 سامسونگ در سال 2026

در سال 2026، سامسونگ برنامه‌ریزی کرده تا تولید انبوه نسل تازه‌ای از حافظه‌های خود را شامل HBM4، حافظه‌های DRAM از نوع GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت و ماژول‌های DDR5 با ظرفیت بیش از 128 گیگابایت آغاز کند.

پرش بزرگ سامسونگ در عرصه تولید حافظه‌های نسل آتی و فناوری 2 نانومتری GAA در سال 2026

در گزارش مالی مربوط به سه‌ماهه سوم سال 2025، سامسونگ به افزایش 15.4 درصدی درآمد خود در مقایسه با سه‌ماهه قبلی اشاره کرد. این شرکت فناوری کره‌ای با ثبت درآمد 86.1 تریلیون وون، به رکورد جدیدی در فروش فصلی بخش حافظه دست یافته است؛ این رشد عمدتاً ناشی از تقاضای فراوان برای حافظه‌های HBM3E و SSDهای مخصوص سرور به دلیل گسترش کاربردهای هوش مصنوعی بوده است.

اخیراً، سامسونگ برای اولین بار راهکار حافظه نسل آینده HBM4 خود را معرفی نمود. این حافظه با قابلیت انتقال داده تا 11 گیگابیت بر ثانیه برای هر تراشه، به عنوان یکی از ‌های اصلی برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی نسل بعدی به‌ویژه سری Rubin انویدیا و MI400 شرکت AMD خواهد بود. پیش‌بینی می‌شود که سامسونگ نمونه‌های آزمایشی این حافظه‌ها را برای ارزیابی و تست‌های کیفی به تولیدکنندگان تراشه‌های هوش مصنوعی ارائه دهد.

توجه به تولید پایدار با فناوری 2 نانومتری GAA و پایه HBM4

ضمناً، سامسونگ در سال 2026 به منظور تضمین تولید پایدار تراشه‌های بر اساس فناوری 2 نانومتری GAA (Gate-All-Around) و پایه‌های حافظه HBM4 مصمم است. به نظر می‌رسد این فرآیند 2 نانومتری در نسل جدید تراشه‌های Exynos و Snapdragon به کار خواهد رفت و تولید آزمایشی آن از همین فصل استارت می‌خورد.

در آخرین فصل سال 2025، این شرکت قصد دارد با تکیه بر حافظه‌های HBM3E، SSDهای با ظرفیت بالا و سایر محصولات پیشرفته، به نیاز فزاینده سرورها و برنامه‌های هوش مصنوعی پاسخ دهد. افزون بر این، فروش حافظه‌های سروری با ارزش افزوده بالا نظیر DDR5 با ظرفیت 128 گیگابایت و بالاتر و همچنین GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت نیز رشد خواهد کرد.

تولید انبوه HBM4 و تمرکز بر گسترش بازار حافظه‌های پیشرفته در سال 2026

در سال 2026، توجه اصلی سامسونگ بر تولید انبوه حافظه‌های HBM4 با عملکرد تشخیص‌پذیر خواهد بود؛ در عین حال برنامه‌هایی برای گسترش فروش این محصولات مد نظر دارد. برای این سال انتظار می‌رود تقاضا برای HBM4 به طور قابل توجهی افزایش یابد؛ به همین دلیل سامسونگ در فاز تولید 1c ظرفیت خود را برای پاسخگویی به نیاز بازار ارتقا خواهد داد. این شرکت همچنین به دنبال گسترش فروش سایر محصولات با ارزش افزوده بالا مانند DDR5، LPDDR5x و SSDهای QLC با ظرفیت بالا به منظور پاسخ‌گویی به تقاضای فزاینده کاربردهای هوش مصنوعی است.

برنامه‌های بخش فاندری سامسونگ برای 2026

در آخرین فصل 2025، سامسونگ با افزایش تولید محصولات مبتنی بر فناوری 2 نانومتری GAA، تلاش خواهد کرد تا بهره‌وری کارخانه‌ها را بالا ببرد و هزینه‌ها را بهینه‌سازی کند تا به سوددهی بهتری دست یابد. در سال 2026، بخش فاندری سامسونگ بر تأمین پایدار محصولات جدید 2 نانومتری GAA و پایه‌های حافظه HBM4 متمرکز خواهد شد و همزمان فعالیت کارخانه جدید خود در تیلور ایالت تگزاس را مطابق برنامه‌ریزی آغاز خواهد کرد.

نقش مهم DDR5 و GDDR7 در استراتژی‌های حافظه سامسونگ

سامسونگ همچنین به این نکته اشاره کرد که حافظه‌های DDR5 با ظرفیت بالای 128 گیگابایت و DRAMهای GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت در استراتژی‌های این شرکت در سال 2026 دارای نقش بنیادینی خواهند بود. انتظار می‌رود پلتفرم‌های سروری جدید از ای‌ام‌دی و اینتل در نیمه دوم سال 2026 به بازار عرضه شوند؛ بنابراین، بازار حافظه در این بازه زمانی بسیار فعال خواهد بود.

در عین حال، GDDR7 در بین کاربران حرفه‌ای و کارت‌های گرافیک مربوط به هوش مصنوعی محبوبیت خود را حفظ خواهد کرد. تراشه گرافیکی جدید Rubin CPX از انویدیا یکی از گزینه‌های محتمل برای به‌کارگیری این نوع حافظه است؛ در حالی که سایر محصولات گرافیکی مانند سری RTX 50 SUPER انویدیا و نسخه‌های تازه معماری‌های RDNA 5 یا RDNA 4 ای‌ام‌دی نیز احتمالاً به GDDR7 مجهز خواهند شد. DRAMهای با ظرفیت 24 گیگابیت علاوه بر افزایش حافظه VRAM، نیاز موجود در بخش میان‌رده بازار را نیز برآورده خواهند کرد.

نگرانی از افزایش قیمت حافظه‌ها به دلیل تمرکز بازار بر هوش مصنوعی

امروزه، تمرکز عرضه حافظه‌های DRAM و SSD بر بازار هوش مصنوعی موجب افزایش چشمگیر قیمت محصولات مصرفی شده است. قیمت حافظه‌های DDR5 و SSD به طور قابل توجهی افزایش یافته و کمبود آن‌ها در بازار به وضوح مشهود است. تمامی تولیدکنندگان بزرگ DRAM افزایش قیمت حافظه‌های DDR5 و DDR4 را اعلام کرده‌اند؛ لذا باید دید بازار در ماه‌های آینده چه روندی را خواهد پیمود.