فرآیند 2 نانومتری TSMC رونمایی شد: جهش بزرگ در عملکرد و کارایی!

TSMC جزئیات بیشتری از فناوری 2 نانومتری N2 خود را ارائه داده و بهبودهای چشمگیری در نرخ بازده و شاخص‌های عملکردی را معرفی کرده است. فرآیند 2 نانومتری TSMC از نظر عملکردی در سطح بالایی ارائه خواهد شد و بیشتر در واحد پردازشی و همچنین محاسباتی مورد استفاده قرار خواهد گرفت، شرکت‌های بزرگی همچون اپل و سامسونگ نیز از مشتریان اصلی این فناوری به شمار می‌روند.

استفاده از “نانوشیت N2” توسط TSMC باعث افزایش قابل توجه عملکرد در این گره (Node) شده و پتانسیل بسیار بالایی را به نمایش گذاشته است. فرآیند 2 نانومتری این غول تایوانی یکی از تحولات مورد انتظار در بازار است، به ویژه از آن‌جا که پیش‌بینی می‌شود این گره دستاوردهای عظیمی در زمینه عملکرد و کارایی به همراه داشته باشد.

این فرآیند احتمالاً تا نیمه دوم 2025 وارد تولید انبوه خواهد شد و اکنون اطلاعاتی درباره عملکرد 2 نانومتری در مقایسه با نسل‌های قبلی در دسترس داریم. این اطلاعات به لطف سخنرانی TSMC در نشست بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی IEEE (IEDM) در سان فرانسیسکو به دست آمده است، جایی که “نانوشیت‌های” 2 نانومتری محور اصلی سخنرانی بودند.

بهبود در عملکرد و کاهش مصرف انرژی

TSMC اعلام کرده است که فرآیند 2 نانومتری این شرکت عملکردی 15 درصدی بهتر و مصرف انرژی 30 درصدی کمتری داشته است که منجر به بهبود قابل توجهی در کارایی گره شده است. همچنین، این فرآیند شاهد افزایش 1.15 برابری در چگالی ترانزیستورها بوده که ناشی از استفاده از ترانزیستورهای نانوشییت با گیت تمام‌دور (GAA) و فناوری N2 NanoFlex است. این فناوری به تولیدکنندگان اجازه می‌دهد تا سلول‌های منطقی را در فضای کمتری جا دهند و عملکرد گره را بهینه‌سازی کنند.

با انتقال از فناوری FinFET سنتی به نانوشییت اختصاصی N2، TSMC توانسته است کنترل بهتری بر جریان الکتریکی داشته باشد که این امر به تولیدکنندگان این امکان را می‌دهد تا پارامترها را متناسب با کاربردهای خاص فرآیند تنظیم کنند. این امر به این دلیل است که نانوشییت‌ها از نوارهای سیلیکونی باریک تشکیل شده‌اند که هرکدام توسط یک گیت احاطه شده‌اند و این ساختار کنترل دقیق‌تری نسبت به فناوری FinFET فراهم می‌کند.

مطالب مرتبط: