روسیه برنامه جامع خود برای فناوری لیتوگرافی تولید تراشه را تا سال ۲۰۳۷ ارائه داد

مؤسسه فیزیک ریزساختار، که بخشی از آکادمی علوم روسیه به شمار می‌آید، نقشه راهی بلندمدت را برای توسعه ابزارهای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) تدوین کرده است که هدف آن ورود این کشور به جمع تولیدکنندگان تراشه‌های پیشرفته می‌باشد.

براساس گزارش Tom’s Hardware، این پروژه از سال آینده میلادی و با استفاده از فرایند ۴۰ نانومتری آغاز خواهد شد و تا سال ۲۰۳۷ ادامه خواهد یافت. علاوه بر این، ساخت تراشه‌هایی با فناوری کمتر از ۱۰ نانومتر نیز در برنامه این پروژه گنجانده شده است. این نقشه راه جدید نسبت به طرح‌های قبلی به نظر واقعی‌تر می‌رسد، اما هنوز ابهامات و تردیدهای زیادی درباره قابلیت اجرایی آن وجود دارد.

روسیه می‌خواهد تا سال ۲۰۳۷ به فرایند ساخت تراشه پیشرفته دست یابد

نکته جالب درباره این نقشه راه، پرهیز از تکرار معماری ابزارهای شرکت ASML در فرآیند توسعه سیستم‌های EUV می‌باشد. برنامه روسیه در عوض به کارگیری مجموعه‌ای کاملاً متمایز از فناوری‌ها را مدنظر قرار داده است، از جمله لیزرهای حالت جامد هیبریدی، منابع نوری مبتنی بر پلاسما زنون، و آینه‌هایی که از ترکیب روتنیوم و بریلیم (Ru/Be) ساخته شده‌اند و نوری با طول موج ۱۱.۲ نانومتر را بازتاب می‌دهند.

زنون به‌عنوان جایگزینی برای قطرات قلع که در ابزارهای EUV شرکت ASML مورد استفاده قرار می‌گیرند، از تولید ذرات زائد که ممکن است به فوتوماسک‌ها آسیب برسانند، جلوگیری کرده و هزینه‌های نگهداری را به میزان قابل توجهی کاهش می‌دهد. همچنین، در مقایسه با سیستم‌های فرابنفش ژرف (DUV) ASML، این طراحی‌ها با پیچیدگی کمتری انجام شده‌اند تا از استفاده مایعات تحت فشار بالا برای غوطه‌وری و الگوگذاری در چند مرحله برای گره‌های پیشرفته اجتناب گردد.

نقشه راه جدید روسیه شامل سه مرحله اصلی به شرح زیر است:

• اولین سیستم که برای سال‌های ۲۰۲۶ تا ۲۰۲۸ طراحی شده، یک دستگاه لیتوگرافی با توانایی ساخت ۴۰ نانومتری خواهد بود. این سیستم شامل یک سامانه دو آینه‌ای، دقت همپوشانی ۱۰ نانومتری، میدان تابش حداکثر ۳ × ۳ میلی‌متری و توانایی تولید بیش از پنج ویفر در ساعت است.
• مرحله دوم که بین سال‌های ۲۰۲۹ تا ۲۰۳۲ اجرایی خواهد شد، شامل یک اسکنر ۲۸ نانومتری با قابلیت ارتقا به ۱۴ نانومتر می‌شود که از یک سیستم اپتیکی چهارآینه‌ای بهره می‌برد. این سیستم دقت همپوشانی ۵ نانومتری، میدان تابش ۲۶ × ۰.۵ میلی‌متری و توان خروجی بیش از ۵۰ ویفر در ساعت خواهد داشت.
• مرحله سوم، که برای سال‌های ۲۰۳۳ تا ۲۰۳۶ برنامه‌ریزی شده، به تولید تراشه‌هایی با ابعاد زیر ۱۰ نانومتر با استفاده از پیکربندی شش آینه‌ای، تراز همپوشانی ۲ نانومتری و ابعاد میدان حداکثر ۲۶ × ۲ میلی‌متری خواهد پرداخت. هدف این سیستم، دستیابی به توان خروجی بالای ۱۰۰ ویفر در ساعت است.

هدف نهایی این برنامه دستیابی به خودکفایی در تولید تراشه‌ها در روسیه است؛ اما تحقق این هدف به عوامل متعددی بستگی خواهد داشت.